TK5A90E, S4X(S
IC
TO-220SIS-3
可供量大可议
TK5A90E, S4X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V， ID = 0.45mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS-3
库存
22,081
货期
现货
TK5A90E, S4X(S参数
| 封装 | TO-220SIS-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22081 |
TK5A90E, S4X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V， ID = 0.45mA）。 应用：开关稳压器
TK5A90E, S4X(S特性
暂无产品特性。
TK5A90E, S4X(S应用领域
暂无应用领域。