TK5A65D(STA4, Q, M)
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK5A65D(STA4, Q, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.6S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
83
货期
现货
TK5A65D(STA4, Q, M)参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 83 |
TK5A65D(STA4, Q, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 1.2Ω (典型值)。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.6S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK5A65D(STA4, Q, M)特性
暂无产品特性。
TK5A65D(STA4, Q, M)应用领域
暂无应用领域。