TK560P60Y, RQ
IC
DPAK
可供量大可议
TK560P60Y, RQ
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VtA = 3至4V（VDS = 10V， ID = 0.24mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
76
货期
现货
TK560P60Y, RQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 76 |
TK560P60Y, RQ概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VtA = 3至4V（VDS = 10V， ID = 0.24mA）。 应用：开关稳压器
TK560P60Y, RQ特性
暂无产品特性。
TK560P60Y, RQ应用领域
暂无应用领域。