TK560A65Y, S4X(S
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK560A65Y, S4X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VHA = 3至4V（VDS = 10V， ID = 0.24mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
797
货期
现货
TK560A65Y, S4X(S参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 797 |
TK560A65Y, S4X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.43Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VHA = 3至4V（VDS = 10V， ID = 0.24mA）。 应用：开关稳压器
TK560A65Y, S4X(S特性
暂无产品特性。
TK560A65Y, S4X(S应用领域
暂无应用领域。