TK4P60D, RQ(S
IC
TO-252(DPAK)
可供量大可议
TK4P60D, RQ(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.4Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.5S（典型值）。 低泄漏电流：IPSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-252(DPAK)
库存
87
货期
现货
TK4P60D, RQ(S参数
| 封装 | TO-252(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 87 |
TK4P60D, RQ(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.4Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.5S（典型值）。 低泄漏电流：IPSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
TK4P60D, RQ(S特性
暂无产品特性。
TK4P60D, RQ(S应用领域
暂无应用领域。