TK4A60DB(S4PHI, X, S
IC
ITO-220S-3
可供量大可议
TK4A60DB(S4PHI, X, S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.2S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4±0.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
品牌
TOSHIBA
封装
ITO-220S-3
库存
10
货期
现货
TK4A60DB(S4PHI, X, S参数
| 封装 | ITO-220S-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
TK4A60DB(S4PHI, X, S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.2S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4±0.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
TK4A60DB(S4PHI, X, S特性
暂无产品特性。
TK4A60DB(S4PHI, X, S应用领域
暂无应用领域。