TK49N65W5, S1F
IC
TO-247
可供量大可议
TK49N65W5, S1F
特性：快速反向恢复时间：trr = 145 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V， ID = 2.5 mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-247
库存
4
货期
现货
TK49N65W5, S1F参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
TK49N65W5, S1F概述
特性：快速反向恢复时间：trr = 145 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3至4.5 V（VDS = 10 V， ID = 2.5 mA）。 应用：开关稳压器
TK49N65W5, S1F特性
暂无产品特性。
TK49N65W5, S1F应用领域
暂无应用领域。