TK3P80E, RQ
IC
DPAK
可供量大可议
TK3P80E, RQ
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。 应用：开关稳压器
Brand
TOSHIBA
Package
DPAK
Stock
1,810
货期
现货
TK3P80E, RQParameters
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1810 |
TK3P80E, RQ概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。 应用：开关稳压器
TK3P80E, RQ特性
暂无产品特性。
TK3P80E, RQ应用领域
暂无应用领域。