TK39N60W5, S1VF(S
IC
TO-247-3
可供量大可议
TK39N60W5, S1VF(S
特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3至4.5V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-247-3
库存
200
货期
现货
TK39N60W5, S1VF(S参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
TK39N60W5, S1VF(S概述
特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3至4.5V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
TK39N60W5, S1VF(S特性
暂无产品特性。
TK39N60W5, S1VF(S应用领域
暂无应用领域。