TK39N60W5, S1VF
IC
TO-247
可供量大可议
TK39N60W5, S1VF
特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3至4.5V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-247
库存
8,864
货期
现货
TK39N60W5, S1VF参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8864 |
TK39N60W5, S1VF概述
特性：快速反向恢复时间：trr = 150 ns（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.062Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3至4.5V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
TK39N60W5, S1VF特性
暂无产品特性。
TK39N60W5, S1VF应用领域
暂无应用领域。