TK39N60W, S1VF(S
IC
TO-247-3
可供量大可议
TK39N60W, S1VF(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
Brand
TOSHIBA
Package
TO-247-3
Stock
126
货期
现货
TK39N60W, S1VF(SParameters
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 126 |
TK39N60W, S1VF(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.055Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V， VDS = 10V， ID = 1.9mA。 应用：开关稳压器
TK39N60W, S1VF(S特性
暂无产品特性。
TK39N60W, S1VF(S应用领域
暂无应用领域。