TK34E10N1, S1IX(S
IC
TO-220
可供量大可议
TK34E10N1, S1IX(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
735
货期
现货
TK34E10N1, S1IX(S参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 735 |
TK34E10N1, S1IX(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。 应用：开关稳压器
TK34E10N1, S1IX(S特性
暂无产品特性。
TK34E10N1, S1IX(S应用领域
暂无应用领域。