TK33S10N1Z, LQ
IC
DPAK
可供量大可议
TK33S10N1Z, LQ
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。 应用：汽车。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
82
货期
现货
TK33S10N1Z, LQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 82 |
TK33S10N1Z, LQ概述
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。 应用：汽车。 开关稳压器
TK33S10N1Z, LQ特性
暂无产品特性。
TK33S10N1Z, LQ应用领域
暂无应用领域。