TK31N60W, S1VF
IC
TO-247
可供量大可议
TK31N60W, S1VF
1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A
品牌
TOSHIBA
封装
TO-247
库存
240
货期
现货
TK31N60W, S1VF参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 240 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
| 商品型号 | TK31N60W, S1VF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.007562 |
TK31N60W, S1VF概述
1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A
TK31N60W, S1VF特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.073 Ω(典型值), 采用超级结结构:DTMOS
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)
TK31N60W, S1VF应用领域
- 开关稳压器