TK31A60W, S4VX
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK31A60W, S4VX
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V， VDS = 10V， ID = 1.5mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
827
货期
现货
TK31A60W, S4VX参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 827 |
TK31A60W, S4VX概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V， VDS = 10V， ID = 1.5mA。 应用：开关稳压器
TK31A60W, S4VX特性
暂无产品特性。
TK31A60W, S4VX应用领域
暂无应用领域。