TK2P60D(TE16L1, NQ)
IC
TO-252
可供量大可议
TK2P60D(TE16L1, NQ)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 1.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
品牌
TOSHIBA
封装
TO-252
库存
1
货期
现货
TK2P60D(TE16L1, NQ)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TK2P60D(TE16L1, NQ)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 1.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V（VDS = 10V， ID = 1mA）
TK2P60D(TE16L1, NQ)特性
暂无产品特性。
TK2P60D(TE16L1, NQ)应用领域
暂无应用领域。