TK25N60X, S1F(S
IC
TO-247
可供量大可议
TK25N60X, S1F(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V， VDS = 10V， Id = 1.2mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-247
库存
13
货期
现货
TK25N60X, S1F(S参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
TK25N60X, S1F(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V， VDS = 10V， Id = 1.2mA。 应用：开关稳压器
TK25N60X, S1F(S特性
暂无产品特性。
TK25N60X, S1F(S应用领域
暂无应用领域。