TK25A20D, S5X
IC
ITO-220S-3
可供量大可议
TK25A20D, S5X
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。 增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
ITO-220S-3
库存
479
货期
现货
TK25A20D, S5X参数
| 封装 | ITO-220S-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 479 |
TK25A20D, S5X概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.047Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 200V)。 增强模式：VtA = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
TK25A20D, S5X特性
暂无产品特性。
TK25A20D, S5X应用领域
暂无应用领域。