TK25A10K3(STA4, Q, M
IC
TO-220
可供量大可议
TK25A10K3(STA4, Q, M
特性：低漏源导通电阻：IDSS(ON) = 31mΩ（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 50S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强型模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
53
货期
现货
TK25A10K3(STA4, Q, M参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 53 |
TK25A10K3(STA4, Q, M概述
特性：低漏源导通电阻：IDSS(ON) = 31mΩ（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 50S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强型模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK25A10K3(STA4, Q, M特性
暂无产品特性。
TK25A10K3(STA4, Q, M应用领域
暂无应用领域。