TK22E10N1, S1X(S
IC
TO-220
可供量大可议
TK22E10N1, S1X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
590
货期
现货
TK22E10N1, S1X(S参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 590 |
TK22E10N1, S1X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 11.5 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)。 应用：开关稳压器
TK22E10N1, S1X(S特性
暂无产品特性。
TK22E10N1, S1X(S应用领域
暂无应用领域。