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TK1R5R04PB, LXGQ
IC

D2PAK

可供量大可议

TK1R5R04PB, LXGQ

特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.25 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:ILSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 3.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。 应用:汽车。 电机驱动器

品牌

TOSHIBA

封装

D2PAK

库存

4

货期

现货

TK1R5R04PB, LXGQ参数

封装D2PAK
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

TK1R5R04PB, LXGQ概述

特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.25 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:ILSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 3.0V (VDS = 10V, ID = 0.5mA)。 应用:汽车。 电机驱动器

TK1R5R04PB, LXGQ特性

暂无产品特性。

TK1R5R04PB, LXGQ应用领域

暂无应用领域。

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