TK17A80W, S4X
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK17A80W, S4X
特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS， RDS(ON) = 0.25Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3.0至4.0V， VDS = 10V， ID = 0.85mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
1,695
货期
现货
TK17A80W, S4X参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1695 |
TK17A80W, S4X概述
特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS， RDS(ON) = 0.25Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：VDA = 3.0至4.0V， VDS = 10V， ID = 0.85mA。 应用：开关稳压器
TK17A80W, S4X特性
暂无产品特性。
TK17A80W, S4X应用领域
暂无应用领域。