TK17A65W, S5X(M
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK17A65W, S5X(M
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.17 Ω（典型值）， 采用超级结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V， ID = 0.9 mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
13
货期
现货
TK17A65W, S5X(M参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
TK17A65W, S5X(M概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.17 Ω（典型值）， 采用超级结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V， ID = 0.9 mA）。 应用：开关稳压器
TK17A65W, S5X(M特性
暂无产品特性。
TK17A65W, S5X(M应用领域
暂无应用领域。