TK16G60W, RVQ(S
IC
D2PAK
可供量大可议
TK16G60W, RVQ(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V， ID = 0.79 mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
D2PAK
库存
74
货期
现货
TK16G60W, RVQ(S参数
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 74 |
TK16G60W, RVQ(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V， ID = 0.79 mA）。 应用：开关稳压器
TK16G60W, RVQ(S特性
暂无产品特性。
TK16G60W, RVQ(S应用领域
暂无应用领域。