TK16A60W, S4VX
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK16A60W, S4VX
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω (典型值)， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V， VDS = 10V， ID = 0.79mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
394
货期
现货
TK16A60W, S4VX参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 394 |
TK16A60W, S4VX概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16Ω (典型值)， 采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V， VDS = 10V， ID = 0.79mA。 应用：开关稳压器
TK16A60W, S4VX特性
暂无产品特性。
TK16A60W, S4VX应用领域
暂无应用领域。