TK160F10N1, LQ
IC
TO-220SM
可供量大可议
TK160F10N1, LQ
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：ILSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。 应用：汽车。 开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SM
库存
1,218
货期
现货
TK160F10N1, LQ参数
| 封装 | TO-220SM |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1218 |
TK160F10N1, LQ概述
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：ILSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。 应用：汽车。 开关稳压器
TK160F10N1, LQ特性
暂无产品特性。
TK160F10N1, LQ应用领域
暂无应用领域。