TK13P25D, RQ(S
IC
TO-252
可供量大可议
TK13P25D, RQ(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 250V)。 增强模式：VTH = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-252
库存
15
货期
现货
TK13P25D, RQ(S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
TK13P25D, RQ(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 250V)。 增强模式：VTH = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器
TK13P25D, RQ(S特性
暂无产品特性。
TK13P25D, RQ(S应用领域
暂无应用领域。