TK12E80W-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
TK12E80W-VB
TO220； N—Channel沟道, 800V； 12A； RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-220AB
Stock
5
货期
现货
TK12E80W-VBParameters
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
TK12E80W-VB概述
TO220； N—Channel沟道, 800V； 12A； RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
TK12E80W-VB特性
暂无产品特性。
TK12E80W-VB应用领域
暂无应用领域。