TK12E60W, S1VX(S
IC
TO-220-3
可供量大可议
TK12E60W, S1VX(S
特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时， RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V， ID = 0.6mA）。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220-3
库存
133
货期
现货
TK12E60W, S1VX(S参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 133 |
TK12E60W, S1VX(S概述
特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时， RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V， ID = 0.6mA）。 应用：开关稳压器
TK12E60W, S1VX(S特性
暂无产品特性。
TK12E60W, S1VX(S应用领域
暂无应用领域。