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TK12A65D-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

TK12A65D-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用平面工艺制造, 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 650V; 12A; RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=3~5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

20

货期

现货

TK12A65D-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

TK12A65D-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用平面工艺制造, 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 650V; 12A; RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=3~5V

TK12A65D-VB特性

暂无产品特性。

TK12A65D-VB应用领域

暂无应用领域。

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