TK11S10N1L, LQ
IC
DPAK
可供量大可议
TK11S10N1L, LQ
特性：AEC-Q101 合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
Brand
TOSHIBA
Package
DPAK
Stock
18
货期
现货
TK11S10N1L, LQParameters
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
TK11S10N1L, LQ概述
特性：AEC-Q101 合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TK11S10N1L, LQ特性
暂无产品特性。
TK11S10N1L, LQ应用领域
暂无应用领域。