TK11A65W, S5X(M
IC
TO-220
可供量大可议
TK11A65W, S5X(M
特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时， RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V， VDS = 10V， ID = 0.45mA。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
244
货期
现货
TK11A65W, S5X(M参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 244 |
TK11A65W, S5X(M概述
特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS时， RDS(ON) = 0.33Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.5至3.5V， VDS = 10V， ID = 0.45mA。 应用：开关稳压器
TK11A65W, S5X(M特性
暂无产品特性。
TK11A65W, S5X(M应用领域
暂无应用领域。