TK10A80E, S4X(S
IC
TO-220SIS
可供量大可议
TK10A80E, S4X(S
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。 应用：开关稳压器
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
52,558
货期
现货
TK10A80E, S4X(S参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 52558 |
TK10A80E, S4X(S概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。 应用：开关稳压器
TK10A80E, S4X(S特性
暂无产品特性。
TK10A80E, S4X(S应用领域
暂无应用领域。