TK10A60D(STA4, X, S)
IC
TO-220
可供量大可议
TK10A60D(STA4, X, S)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳| Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220
库存
6,580
货期
现货
TK10A60D(STA4, X, S)参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6580 |
TK10A60D(STA4, X, S)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳| Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK10A60D(STA4, X, S)特性
暂无产品特性。
TK10A60D(STA4, X, S)应用领域
暂无应用领域。