TK10A60D(STA4, Q, M)
IC
TO-220F-3
可供量大可议
TK10A60D(STA4, Q, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 6.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
Brand
TOSHIBA
Package
TO-220F-3
Stock
32
货期
现货
TK10A60D(STA4, Q, M)Parameters
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
TK10A60D(STA4, Q, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 6.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
TK10A60D(STA4, Q, M)特性
暂无产品特性。
TK10A60D(STA4, Q, M)应用领域
暂无应用领域。