TK099V65Z, LQ
IC
DFN-5(8x8)
可供量大可议
TK099V65Z, LQ
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.08Ω（典型值）。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：VTH = 3 至 4V（VDS = 10V， ID = 1.27mA）。 应用：开关电源
品牌
TOSHIBA
封装
DFN-5(8x8)
库存
5
货期
现货
TK099V65Z, LQ参数
| 封装 | DFN-5(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
TK099V65Z, LQ概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.08Ω（典型值）。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：VTH = 3 至 4V（VDS = 10V， ID = 1.27mA）。 应用：开关电源
TK099V65Z, LQ特性
暂无产品特性。
TK099V65Z, LQ应用领域
暂无应用领域。