TJ90S04M3L, LQ
IC
DPAK
可供量大可议
TJ90S04M3L, LQ
特性：AEC-Q101认证。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.4 mΩ（典型值）。 低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40V)。 增强模式：VDM = -1.0 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
14
货期
现货
TJ90S04M3L, LQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
TJ90S04M3L, LQ概述
特性：AEC-Q101认证。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.4 mΩ（典型值）。 低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40V)。 增强模式：VDM = -1.0 至 -2.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TJ90S04M3L, LQ特性
暂无产品特性。
TJ90S04M3L, LQ应用领域
暂无应用领域。