TJ8S06M3L-VB
IC
TO-252
可供量大可议
TJ8S06M3L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
2
货期
现货
TJ8S06M3L-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
TJ8S06M3L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
TJ8S06M3L-VB特性
暂无产品特性。
TJ8S06M3L-VB应用领域
暂无应用领域。