TJ80S04M3L(T6L1, NQ
IC
DPAK
可供量大可议
TJ80S04M3L(T6L1, NQ
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -40V)。 增强模式：VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
23
货期
现货
TJ80S04M3L(T6L1, NQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
TJ80S04M3L(T6L1, NQ概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -40V)。 增强模式：VDD = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TJ80S04M3L(T6L1, NQ特性
暂无产品特性。
TJ80S04M3L(T6L1, NQ应用领域
暂无应用领域。