TJ60S04M3L(T6L1, NQ
IC
DPAK
可供量大可议
TJ60S04M3L(T6L1, NQ
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：ILSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)。 增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
87
货期
现货
TJ60S04M3L(T6L1, NQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 87 |
TJ60S04M3L(T6L1, NQ概述
特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：ILSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)。 增强模式：VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TJ60S04M3L(T6L1, NQ特性
暂无产品特性。
TJ60S04M3L(T6L1, NQ应用领域
暂无应用领域。