TJ50S06M3L, LXHQ
IC
DPAK
可供量大可议
TJ50S06M3L, LXHQ
特性：AEC-Q101 qualified。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 10.3 mΩ (典型值) (VGS = -10V)。 低泄漏电流：IDSS = -10 μA (最大值) (VDS = -60V)。 增强模式：Vth = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
DPAK
库存
3
货期
现货
TJ50S06M3L, LXHQ参数
| 封装 | DPAK |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
TJ50S06M3L, LXHQ概述
特性：AEC-Q101 qualified。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 10.3 mΩ (典型值) (VGS = -10V)。 低泄漏电流：IDSS = -10 μA (最大值) (VDS = -60V)。 增强模式：Vth = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
TJ50S06M3L, LXHQ特性
暂无产品特性。
TJ50S06M3L, LXHQ应用领域
暂无应用领域。