TJ30S06M3L-VB
IC
TO-252
可供量大可议
TJ30S06M3L-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -50A； RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
TJ30S06M3L-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
TJ30S06M3L-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -50A； RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-3V
TJ30S06M3L-VB特性
暂无产品特性。
TJ30S06M3L-VB应用领域
暂无应用领域。