TIP122G
自营可供
IC
TO-220-3
TIP122G
达林顿管 2W 100V 1000@3A, 3V NPN TO-220AB
品牌
ON
封装
TO-220-3
交期
现货
批次
26+
TIP122G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200uA |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.5V |
| 商品名称 | NPN 100V 5A |
| 封装 | TO-220AB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00294 |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 550 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 4V@5A, 20mA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
| 商品型号 | TIP122G |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 达林顿管 |
TIP122G概述
达林顿管 2W 100V 1000@3A, 3V NPN TO-220AB
TIP122G特性
- 高直流电流增益 —— hFE = 2500（典型值）， @ IC = 4.0 Adc
- 集电极
- 发射极维持电压 —— @ 100 mA ADC
- 低集电极
- 发射极饱和电压 —— VCE(sat) = 2.0 Vdc（最大值）， @ IC = 3.0 Adc
- VCE(sat) = 4.0 Vdc（最大值）， @ IC = 5.0 Adc
- 内置基极
- 发射极并联电阻的单片结构
- 提供无铅封装*
TIP122G应用领域
- 通用放大器
- 低速开关应用