THS4521IDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
THS4521IDR
差分运放 240uV 单路 700nA 95MHz
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
3,575
货期
现货
THS4521IDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 25+ |
| 放大器数 | 单路 |
| 输入偏置电流(Ib) | 700nA |
| 增益带宽积(GBP) | 95MHz |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 静态电流(Iq) | 1.14mA |
| 输出类型 | 差分 |
| 单电源电压 | 2.5V~5.5V |
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 100dB |
| 功能特性 | 输出共模电压可调； 使能/关断功能； 单端转差分转换； 集成ADC驱动器 |
| 分类 | 差分运放 |
|---|---|
| 库存 | 3,575 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 输入失调电压(Vos) | 200uV |
| 压摆率(SR) | 490V/us |
| 噪声密度(eN) | 4.6nV/√Hz@100kHz |
| 输出电流 | 55mA |
| 输入失调电流(Ios) | 215nA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 600pA/℃ |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -2.75V~-1.25V； 1.25V~2.75V |
| 稳定时间 | 13ns |
THS4521IDR概述
差分运放 240uV 单路 700nA 95MHz
THS4521IDR特性
暂无产品特性。
THS4521IDR应用领域
暂无应用领域。