THS2630DR
IC
SOIC-8
可供量大可议
THS2630DR
属于全差分输入和差分输出器件系列, 使用先进的高压互补双极工艺制造。 使用从输入到输出的真正全差分信号路径, 具有高达 ±17.5V 的高电源电压。 这种设计带来了出色的共模噪声抑制能力(800kHz 时为 95dB)和总谐波失真(2Vₚ₋ₚ、250kHz 时为 -108dBc)。 高电压差分信号链可通过宽电源电压范围提高裕量和动态范围, 而无需为差分信号的每个极性添加单独的放大器。 在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行。
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
722
货期
现货
THS2630DR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 差分运放 |
|---|---|
| 库存 | 722 |
THS2630DR概述
属于全差分输入和差分输出器件系列, 使用先进的高压互补双极工艺制造。 使用从输入到输出的真正全差分信号路径, 具有高达 ±17.5V 的高电源电压。 这种设计带来了出色的共模噪声抑制能力(800kHz 时为 95dB)和总谐波失真(2Vₚ₋ₚ、250kHz 时为 -108dBc)。 高电压差分信号链可通过宽电源电压范围提高裕量和动态范围, 而无需为差分信号的每个极性添加单独的放大器。 在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行。
THS2630DR特性
暂无产品特性。
THS2630DR应用领域
暂无应用领域。
