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TF30115
IC

PDFNWB-8L-EP(5x6)

可供量大可议

TF30115

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。

品牌

TF

封装

PDFNWB-8L-EP(5x6)

库存

50

货期

现货

TF30115参数

封装PDFNWB-8L-EP(5x6)
品牌TF(拓锋)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存50

TF30115概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷, 并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。

TF30115特性

暂无产品特性。

TF30115应用领域

暂无应用领域。

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