TF2N7002K
自营可供
IC
SOT-23
TF2N7002K
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 导通电阻(RDS(on))：2.0Ω@10V； 2.5Ω@4.5V 描述特性： 低导通电阻、电压控制小信号开关、饱和电流能力强， 并带 2kV HBM ESD 保护。
品牌
TF
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
TF2N7002K参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TF(拓锋) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
TF2N7002K概述
数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 导通电阻(RDS(on))：2.0Ω@10V； 2.5Ω@4.5V 描述特性： 低导通电阻、电压控制小信号开关、饱和电流能力强， 并带 2kV HBM ESD 保护。