TF075N03M
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
TF075N03M
特性：30V/30A。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 9.3mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 超高密度单元设计。 快速开关速度。 低栅极电荷。 100%雪崩测试。 提供无铅和环保器件
品牌
TF
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
80
货期
现货
TF075N03M参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TF(拓锋) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
TF075N03M概述
特性：30V/30A。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 9.3mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 超高密度单元设计。 快速开关速度。 低栅极电荷。 100%雪崩测试。 提供无铅和环保器件
TF075N03M特性
暂无产品特性。
TF075N03M应用领域
暂无应用领域。