TEA1708T/1J
IC
SO-8
可供量大可议
TEA1708T/1J
是一款用于X电容的自动放电IC， 功耗低（在230V交流电压下， 典型功耗为1mW）。 集成了500V钳位电路， 可在电源浪涌期间保护IC。 在仅使用两个200kΩ电阻的典型应用中， 允许的最大差模电源浪涌电压超过6kV， 无需金属氧化物压敏电阻来保护IC。 X电容放电电流内部限制为2.3mA， 放电延迟定时器可使用低压电容进行外部设置。 低功耗与高放电电流相结合， 在降低电磁干扰的同时保持低待机功耗， 可使用高值X电容。 内置定时器和过零电源电压检测器
品牌
NXP
封装
SO-8
库存
9
货期
现货
TEA1708T/1J参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | NXP(恩智浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 专业电源管理(PMIC) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
TEA1708T/1J概述
是一款用于X电容的自动放电IC， 功耗低（在230V交流电压下， 典型功耗为1mW）。 集成了500V钳位电路， 可在电源浪涌期间保护IC。 在仅使用两个200kΩ电阻的典型应用中， 允许的最大差模电源浪涌电压超过6kV， 无需金属氧化物压敏电阻来保护IC。 X电容放电电流内部限制为2.3mA， 放电延迟定时器可使用低压电容进行外部设置。 低功耗与高放电电流相结合， 在降低电磁干扰的同时保持低待机功耗， 可使用高值X电容。 内置定时器和过零电源电压检测器
TEA1708T/1J特性
暂无产品特性。
TEA1708T/1J应用领域
暂无应用领域。