TDM3512
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
TDM3512
类型 N 漏源电压(Vdss) 20 阈值电压(Vgs) 12 连续漏极电流(Id) 17.8 导通电阻(mΩ) 输入电容(Ciss) 3775 反向传输电容Crss(pF) 525 栅极电荷(Qg)
品牌
Techcode
封装
DFN-8(3x3)
库存
1
货期
现货
TDM3512参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | Techcode(泰德) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
TDM3512概述
类型 N 漏源电压(Vdss) 20 阈值电压(Vgs) 12 连续漏极电流(Id) 17.8 导通电阻(mΩ) 输入电容(Ciss) 3775 反向传输电容Crss(pF) 525 栅极电荷(Qg)
TDM3512特性
暂无产品特性。
TDM3512应用领域
暂无应用领域。